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参数目录42413
> DMS3012SFG-7 MOSFET N CH 30V POWERDI 3333-8
型号:
DMS3012SFG-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N CH 30V POWERDI 3333-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMS3012SFG-7 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫欧 @ 13.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4310pF @ 15V
功率 - 最大
890mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商设备封装
PowerDI3333-8
包装
标准包装
其它名称
DMS3012SFG-7DIDKR
查看DMS3012SFG-7代理商
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